BSM180D12P2C101 - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Hersteller Teilenummer

BSM180D12P2C101

Interne Teilenummer

ABC-BSM180D12P2C101

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59144 Pieces

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Technische Daten für BSM180D12P2C101

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSM180D12P2C101

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 204A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 10V

Leistung max : 1130W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : -

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSM180D12P2C101

Datenblätter : BSM180D12P2C101.pdf

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