GSID100A120T2C1 Datenblatt
Technische Daten für GSID100A120T2C1
Artikelnummer :
GSID100A120T2C1
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
SILICON IGBT MODULES
Serie :
Amp+™
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200A
Leistung max :
640W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Eingang :
Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-GSID100A120T2C1
Hersteller
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
38811 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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