GSID100A120T2C1 - SILICON IGBT MODULES

Hersteller Teilenummer

GSID100A120T2C1

Interne Teilenummer

ABC-GSID100A120T2C1

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

SILICON IGBT MODULES

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

38811 Pieces

Referenzpreis

~~USD 61.328335~~

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Technische Daten für GSID100A120T2C1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GSID100A120T2C1

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : SILICON IGBT MODULES

Serie : Amp+™

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : -

Aufbau : Three Phase Inverter

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A

Leistung max : 640W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V

Eingang : Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor : Yes

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : GSID1 , GSID100

Dokumente für GSID100A120T2C1

Datenblätter : GSID100A120T2C1.pdf

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