H7N1002LSTL-E Datenblatt
Technische Daten für H7N1002LSTL-E
Artikelnummer :
H7N1002LSTL-E
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9700pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-LDPAK
Paket / fall :
SC-83
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-H7N1002LSTL-E
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V LDPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
86944 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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