H7N1002LSTL-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Hersteller Teilenummer

H7N1002LSTL-E

Interne Teilenummer

ABC-H7N1002LSTL-E

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V LDPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

86944 Pieces

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Technische Daten für H7N1002LSTL-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : H7N1002LSTL-E

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V LDPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-LDPAK

Paket / fall : SC-83

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für H7N1002LSTL-E

Datenblätter : H7N1002LSTL-E.pdf

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