RN1705JE(TE85L,F) Datenblatt
Technische Daten für RN1705JE(TE85L,F)
Artikelnummer :
RN1705JE(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Leistung max :
100mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-553
Supplier Device Package :
ESV
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7422324 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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