RN1705JE(TE85L,F) - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller Teilenummer

RN1705JE(TE85L,F)

Interne Teilenummer

ABC-RN1705JE(TE85L,F)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7422324 Pieces

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Technische Daten für RN1705JE(TE85L,F)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RN1705JE(TE85L,F)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang : 250MHz

Leistung max : 100mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-553

Supplier Device Package : ESV

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RN170 , RN1705JE

Dokumente für RN1705JE(TE85L,F)

Datenblätter : RN1705JE(TE85L,F).pdf

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