RQ1E100XNTR Datenblatt
Technische Daten für RQ1E100XNTR
Artikelnummer :
RQ1E100XNTR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.7nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
550mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSMT8
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-RQ1E100XNTR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1731870 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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