RQ1E100XNTR - MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Hersteller Teilenummer

RQ1E100XNTR

Interne Teilenummer

ABC-RQ1E100XNTR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1731870 Pieces

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Technische Daten für RQ1E100XNTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQ1E100XNTR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.7nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 550mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TSMT8

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RQ1E100XNTR

Datenblätter : RQ1E100XNTR.pdf

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