SI8416DB-T2-E1 Datenblatt
Technische Daten für SI8416DB-T2-E1
Artikelnummer :
SI8416DB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1470pF @ 4V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paket / fall :
6-UFBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SI8416DB-T2-E1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2280215 Stücke
Referenzpreis
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