SI8416DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Hersteller Teilenummer

SI8416DB-T2-E1

Interne Teilenummer

ABC-SI8416DB-T2-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2280215 Pieces

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Technische Daten für SI8416DB-T2-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8416DB-T2-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 4V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Paket / fall : 6-UFBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI84 , SI8416D

Dokumente für SI8416DB-T2-E1

Datenblätter : SI8416DB-T2-E1.pdf

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