SI8900EDB-T2-E1 Datenblatt
Technische Daten für SI8900EDB-T2-E1
Artikelnummer :
SI8900EDB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
10-UFBGA, CSPBGA
Supplier Device Package :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SI8900EDB-T2-E1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
380758 Stücke
Referenzpreis
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