SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Hersteller Teilenummer

SI8900EDB-T2-E1

Interne Teilenummer

ABC-SI8900EDB-T2-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI8900EDB-T2-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8900EDB-T2-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 10-UFBGA, CSPBGA

Supplier Device Package : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI890 , SI8900E

Dokumente für SI8900EDB-T2-E1

Datenblätter : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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