VQ1001P-E3 Datenblatt
Technische Daten für VQ1001P-E3
Artikelnummer :
VQ1001P-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
4 N-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
110pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
-
Supplier Device Package :
14-DIP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-VQ1001P-E3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52767 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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