VQ1001P-E3 - MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Hersteller Teilenummer

VQ1001P-E3

Interne Teilenummer

ABC-VQ1001P-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52767 Pieces

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Technische Daten für VQ1001P-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : VQ1001P-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 4 N-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : -

Supplier Device Package : 14-DIP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : VQ1 , VQ100

Dokumente für VQ1001P-E3

Datenblätter : VQ1001P-E3.pdf

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