ZXMN6A09GTA Datenblatt
Technische Daten für ZXMN6A09GTA
Artikelnummer :
ZXMN6A09GTA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24.2nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1407pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-ZXMN6A09GTA
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1150016 Stücke
Referenzpreis
Unser Preis
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