ZXMN6A09GTA - MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Hersteller Teilenummer

ZXMN6A09GTA

Interne Teilenummer

ABC-ZXMN6A09GTA

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1150016 Pieces

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Technische Daten für ZXMN6A09GTA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN6A09GTA

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1407pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-223

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für ZXMN6A09GTA

Datenblätter : ZXMN6A09GTA.pdf

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