PHD21N06LT,118 - MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Hersteller Teilenummer

PHD21N06LT,118

Interne Teilenummer

ABC-PHD21N06LT,118

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

79785 Pieces

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Technische Daten für PHD21N06LT,118

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHD21N06LT,118

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 56W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : PHD21N06LT,118.pdf

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