BAQ35-GS18 - DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Hersteller Teilenummer

BAQ35-GS18

Interne Teilenummer

ABC-BAQ35-GS18

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

13753152 Pieces

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Technische Daten für BAQ35-GS18

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BAQ35-GS18

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 125V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA

Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1nA @ 60V

Kapazität @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Supplier Device Package : SOD-80 MiniMELF

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BAQ , BAQ35

Dokumente für BAQ35-GS18

Datenblätter : BAQ35-GS18.pdf

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