MT41K512M8V00HWC1-N002 - IC DRAM 4G PARALLEL

Hersteller Teilenummer

MT41K512M8V00HWC1-N002

Interne Teilenummer

ABC-MT41K512M8V00HWC1-N002

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 4G PARALLEL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für MT41K512M8V00HWC1-N002

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT41K512M8V00HWC1-N002

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR3L

Speichergröße : 4Gb (512M x 8)

Taktfrequenz : -

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT41K51 , MT41K512M8V

Dokumente für MT41K512M8V00HWC1-N002

Datenblätter : MT41K512M8V00HWC1-N002.pdf

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