PMDPB28UN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

Hersteller Teilenummer

PMDPB28UN,115

Interne Teilenummer

ABC-PMDPB28UN,115

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

60632 Pieces

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Technische Daten für PMDPB28UN,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMDPB28UN,115

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 265pF @ 10V

Leistung max : 510mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Supplier Device Package : DFN2020-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PMDPB28UN,115

Datenblätter : PMDPB28UN,115.pdf

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