DMT6013LFDF-7 - MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-

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MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
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Technische Daten für DMT6013LFDF-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT6013LFDF-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1081pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : U-DFN2020-6
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMT6 , DMT601

Dokumente für DMT6013LFDF-7

Datenblätter : DMT6013LFDF-7.pdf

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