IRF630 - MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Hersteller Teilenummer

IRF630

Interne Teilenummer

ABC-IRF630

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

541023 Pieces

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Technische Daten für IRF630

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF630

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Serie : MESH OVERLAY™ II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)

Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF630

Datenblätter : IRF630.pdf

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