SI5905BDC-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Hersteller Teilenummer

SI5905BDC-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI5905BDC-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

60541 Pieces

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Technische Daten für SI5905BDC-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI5905BDC-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 4V

Leistung max : 3.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI590 , SI5905BD

Dokumente für SI5905BDC-T1-GE3

Datenblätter : SI5905BDC-T1-GE3.pdf

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