IRLW610ATM - MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Hersteller Teilenummer

IRLW610ATM

Interne Teilenummer

ABC-IRLW610ATM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRLW610ATM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRLW610ATM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 33W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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