SIHB33N60ET1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Hersteller Teilenummer

SIHB33N60ET1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIHB33N60ET1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 33A TO263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

192568 Pieces

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Technische Daten für SIHB33N60ET1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIHB33N60ET1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Serie : E

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3508pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 278W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263 (D²Pak)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIHB3 , SIHB33N6

Dokumente für SIHB33N60ET1-GE3

Datenblätter : SIHB33N60ET1-GE3.pdf

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