70V3579S6BCI8 - IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller Teilenummer

70V3579S6BCI8

Interne Teilenummer

ABC-70V3579S6BCI8

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Kurze Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

58144 Pieces

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Technische Daten für 70V3579S6BCI8

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 70V3579S6BCI8

Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc

Beschreibung : IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : SRAM

Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße : 1.125Mb (32K x 36)

Taktfrequenz : -

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : 6ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 256-LBGA

Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 70V3 , 70V357

Dokumente für 70V3579S6BCI8

Datenblätter : 70V3579S6BCI8.pdf

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