IPAW60R280CEXKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO220-3

Hersteller Teilenummer

IPAW60R280CEXKSA1

Interne Teilenummer

ABC-IPAW60R280CEXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO220-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

350070 Pieces

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Technische Daten für IPAW60R280CEXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPAW60R280CEXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO220-3

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 430µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 100V

FET-Funktion : Super Junction

Verlustleistung (max.) : 32W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Variant

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPAW60R280CEXKSA1

Datenblätter : IPAW60R280CEXKSA1.pdf

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