ESH3B-M3/9AT - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller Teilenummer

ESH3B-M3/9AT

Interne Teilenummer

ABC-ESH3B-M3/9AT

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2620478 Pieces

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Technische Daten für ESH3B-M3/9AT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ESH3B-M3/9AT

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 3A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 40ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AB, SMC

Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ESH3 , ESH3B-

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Datenblätter : ESH3B-M3/9AT.pdf

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