IRF7492PBF - MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

IRF7492PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRF7492PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF7492PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF7492PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 79 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRF74

Dokumente für IRF7492PBF

Datenblätter : IRF7492PBF.pdf

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