AS4C128M8D1-6TIN - IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Hersteller Teilenummer

AS4C128M8D1-6TIN

Interne Teilenummer

ABC-AS4C128M8D1-6TIN

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

74176 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für AS4C128M8D1-6TIN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AS4C128M8D1-6TIN

Hersteller : Alliance Memory, Inc.

Beschreibung : IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR

Speichergröße : 1Gb (128M x 8)

Taktfrequenz : 166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 700ps

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Supplier Device Package : 66-TSOP II

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : AS4C1 , AS4C128M

Dokumente für AS4C128M8D1-6TIN

Datenblätter : AS4C128M8D1-6TIN.pdf

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