S1FLJ-GS18 - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Hersteller Teilenummer

S1FLJ-GS18

Interne Teilenummer

ABC-S1FLJ-GS18

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

15084097 Pieces

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Technische Daten für S1FLJ-GS18

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : S1FLJ-GS18

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 1.8µs

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-219AB

Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : S1F , S1FLJ

Dokumente für S1FLJ-GS18

Datenblätter : S1FLJ-GS18.pdf

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