APTGT50H60RT3G - POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Hersteller Teilenummer

APTGT50H60RT3G

Interne Teilenummer

ABC-APTGT50H60RT3G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

69696 Pieces

Referenzpreis

~~USD 21.456~~

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Technische Daten für APTGT50H60RT3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTGT50H60RT3G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Serie : -

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : Trench Field Stop

Aufbau : Full Bridge Inverter

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A

Leistung max : 176W

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

Eingang : Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor : Yes

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP3

Supplier Device Package : SP3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTG , APTGT50

Dokumente für APTGT50H60RT3G

Datenblätter : APTGT50H60RT3G.pdf

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