FDMC2610 - MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

Hersteller Teilenummer

FDMC2610

Interne Teilenummer

ABC-FDMC2610

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDMC2610

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMC2610

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

Serie : UniFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 960pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-MLP (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDMC2610.pdf

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