IMBD4448-HE3-18 - DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller Teilenummer

IMBD4448-HE3-18

Interne Teilenummer

ABC-IMBD4448-HE3-18

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

16670479 Pieces

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Technische Daten für IMBD4448-HE3-18

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IMBD4448-HE3-18

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 75V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA

Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr) : 4ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2.5µA @ 70V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package : SOT-23

Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IMBD4448-HE3-18.pdf

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