CSD17579Q3AT - MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Hersteller Teilenummer

CSD17579Q3AT

Interne Teilenummer

ABC-CSD17579Q3AT

Hersteller

T-I

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für CSD17579Q3AT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CSD17579Q3AT

Hersteller : T-I

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Serie : NexFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 998pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-VSONP (3x3.15)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : CSD17579Q3AT.pdf

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