IRF8915TR - MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

IRF8915TR

Interne Teilenummer

ABC-IRF8915TR

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF8915TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF8915TR

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 10V

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRF8

Dokumente für IRF8915TR

Datenblätter : IRF8915TR.pdf

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