SI5858DU-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Hersteller Teilenummer

SI5858DU-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI5858DU-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

46432 Pieces

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Technische Daten für SI5858DU-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI5858DU-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Serie : LITTLE FOOT®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® ChipFet Dual

Paket / fall : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI585 , SI5858D

Dokumente für SI5858DU-T1-GE3

Datenblätter : SI5858DU-T1-GE3.pdf

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