2SK879-Y(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM

Hersteller Teilenummer

2SK879-Y(TE85L,F)

Interne Teilenummer

ABC-2SK879-Y(TE85L,F)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

JFET N-CH 0.1W USM

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4641252 Pieces

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Technische Daten für 2SK879-Y(TE85L,F)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK879-Y(TE85L,F)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : JFET N-CH 0.1W USM

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max : -

Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8.2pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein) : -

Leistung max : 100mW

Betriebstemperatur : 125°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SC-70, SOT-323

Supplier Device Package : USM

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2SK87 , 2SK879-Y

Dokumente für 2SK879-Y(TE85L,F)

Datenblätter : 2SK879-Y(TE85L,F).pdf

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