IPW60R125P6XKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO247-3

Hersteller Teilenummer

IPW60R125P6XKSA1

Interne Teilenummer

ABC-IPW60R125P6XKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO247-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

139576 Pieces

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Technische Daten für IPW60R125P6XKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPW60R125P6XKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO247-3

Serie : CoolMOS™ P6

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 960µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2660pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 219W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO247-3

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPW60R125P6XKSA1

Datenblätter : IPW60R125P6XKSA1.pdf

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