FQD2N100TM - MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Hersteller Teilenummer

FQD2N100TM

Interne Teilenummer

ABC-FQD2N100TM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1086351 Pieces

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Technische Daten für FQD2N100TM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQD2N100TM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FQD2N100TM

Datenblätter : FQD2N100TM.pdf

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