SI8487DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

Hersteller Teilenummer

SI8487DB-T1-E1

Interne Teilenummer

ABC-SI8487DB-T1-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI8487DB-T1-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8487DB-T1-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2240pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-Microfoot

Paket / fall : 4-UFBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI84 , SI8487D

Dokumente für SI8487DB-T1-E1

Datenblätter : SI8487DB-T1-E1.pdf

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