BYM12-50HE3_A/I - DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller Teilenummer

BYM12-50HE3_A/I

Interne Teilenummer

ABC-BYM12-50HE3_A/I

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

5439539 Pieces

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Technische Daten für BYM12-50HE3_A/I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BYM12-50HE3_A/I

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 50ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-213AB, MELF (Glass)

Supplier Device Package : DO-213AB

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BYM12-50HE3_A/I

Datenblätter : BYM12-50HE3_A/I.pdf

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