FDN360P - MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Hersteller Teilenummer

FDN360P

Interne Teilenummer

ABC-FDN360P

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4861136 Pieces

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Technische Daten für FDN360P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDN360P

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 298pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FD , FDN

Dokumente für FDN360P

Datenblätter : FDN360P.pdf

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