APT45GP120B2DQ2G - IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Hersteller Teilenummer

APT45GP120B2DQ2G

Interne Teilenummer

ABC-APT45GP120B2DQ2G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

54964 Pieces

Referenzpreis

~~USD 11.055~~

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Technische Daten für APT45GP120B2DQ2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT45GP120B2DQ2G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Serie : POWER MOS 7®

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : PT

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 113A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 170A

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A

Leistung max : 625W

Energie wechseln : 900µJ (on), 905µJ (off)

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : 18ns/100ns

Testbedingung : 600V, 45A, 5 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-247-3 Variant

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APT45 , APT45GP1

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Datenblätter : APT45GP120B2DQ2G.pdf

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