EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller Teilenummer

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Interne Teilenummer

ABC-EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

35200 Pieces

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Technische Daten für EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße : 4Gb (64M x 64)

Taktfrequenz : 533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : EDB4064 , EDB4064B4PB

Dokumente für EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Datenblätter : EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR.pdf

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