SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

Hersteller Teilenummer

SIZF916DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZF916DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH DUAL 30V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

844809 Pieces

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Technische Daten für SIZF916DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZF916DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH DUAL 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Leistung max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZF9 , SIZF916D

Dokumente für SIZF916DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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