TPCC8A01-H(TE12LQM - MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Hersteller Teilenummer

TPCC8A01-H(TE12LQM

Interne Teilenummer

ABC-TPCC8A01-H(TE12LQM

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TPCC8A01-H(TE12LQM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPCC8A01-H(TE12LQM

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Serie : U-MOSV-H

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.9 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPCC8A01-H(TE12LQM

Datenblätter : TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

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