STGYA120M65DF2 - TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S

Hersteller Teilenummer

STGYA120M65DF2

Interne Teilenummer

ABC-STGYA120M65DF2

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

70245 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für STGYA120M65DF2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STGYA120M65DF2

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S

Serie : *

Teilestatus : Active

IGBT-Typ : NPT, Trench Field Stop

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 360A

Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 120A

Leistung max : 625W

Energie wechseln : 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)

Eingabetyp : Standard

Gate Charge : 420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C : 66ns/185ns

Testbedingung : 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr) : 202ns

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : TO-247-3 Exposed Pad

Supplier Device Package : MAX247™

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : STGY , STGYA12

Dokumente für STGYA120M65DF2

Datenblätter : STGYA120M65DF2.pdf

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