FJV3113RMTF - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Hersteller Teilenummer

FJV3113RMTF

Interne Teilenummer

ABC-FJV3113RMTF

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

22109080 Pieces

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Technische Daten für FJV3113RMTF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FJV3113RMTF

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : NPN - Pre-Biased

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang : 250MHz

Leistung max : 200mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FJV3113RMTF

Datenblätter : FJV3113RMTF.pdf

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